Basado en materiales de Nikkei
El Dr. Kinam Kim, jefe de fabricación de semiconductores de Samsung, habló en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) de IEEE, anunciando planes globales para el desarrollo de esta dirección. Según él, en este momento existe una tendencia hacia una mayor miniaturización de la producción y la transición a conjuntos de chips cada vez más pequeños. Lo anunció en una conferencia sobre tecnologías y soluciones de silicio para el mundo impulsado por datos.
Según el Dr. Kim, el mundo está actualmente dominado por enormes flujos de información y datos, así como por IoT (Internet of Things). Incluso el año pasado, según Cisco Systems, Inc., había 7.200 millones de personas en el mundo, pero utilizaron el doble de dispositivos conectados a Internet, es decir, aproximadamente 14.400 millones de dispositivos diferentes que pueden conectarse. Para 2020, ese número crecerá a 50 mil millones de dispositivos.
Tal aumento en el número de terminales conectados provoca un aumento en el número de conexiones, lo que también implica un aumento en el número de señales procesadas. Todo esto requiere un crecimiento correspondiente en la tecnología de semiconductores que respaldaría el desarrollo. Y este desarrollo de semiconductores tiene un buen comienzo. Por el momento, “no hay grandes dificultades técnicas para alcanzar el hito de 5 nm”, dijo Kinam Kim.
Pero la empresa tampoco se quedará en la línea de los 5 nm. La tecnología FinFET ya desarrollada, adaptada hasta ahora para la tecnología de proceso de 10 nm, permite crear prototipos de investigación utilizando la tecnología de proceso de 3,8 nm y, en el futuro, es posible cambiar a la tecnología EUV, que podría alcanzar el tamaño de 3,25 nm. Mientras tanto, su uso se limita al proceso técnico de 8 nm, y se requieren nuevos materiales para una mayor miniaturización.
Sin embargo, todo lo anterior sigue siendo un asunto para los próximos años. Hasta ahora, Samsung comenzó en enero de 2015 la producción en masa de conjuntos de chips de la generación de tecnología FinFET con una tecnología de proceso de 14 nm. Los planes más cercanos son alcanzar el nivel de 7 nm en el marco de esta tecnología y dominar las tecnologías TFET en la producción en serie.